| 型号： | NSBA123JDXV6T1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| NSBA123JDXV6T1G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 产品目录绘图 | Transistor SOT-563 Pkg |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 47k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1562 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | NSBA123JDXV6T1GOSCT |